（全球 TMT，2021 年 7 月 12 日）SK 海力士宣布已于 7 月初开始量产采用第四代 10nm (1a) 工艺的 8Gigabit (Gb) LPDDR4 移动 DRAM 产品。

自从10纳米级DRAM产品问世以来，半导体行业将以英文字母命名，SK海力士生产的1a纳米级工艺是继1x（第一代）、1y（第二代）、1z（第三代）之后的第四代工艺节点。该公司预计将于今年下半年开始向智能手机制造商供应采用 1a 纳米技术的移动 DRAM。

量产产品是SK海力士首款采用EUV技术量产的DRAM，意义重大。 SK海力士此前在1y纳米产品的生产中部分采用了EUV技术，并提前完成了对其稳定性的验证。

工艺极度小型化的趋势，促使半导体厂商陆续引进EUV设备，并投资于在晶圆上绘制电路的光刻工艺。业界认为，EUV 技术的采用水平将成为决定未来技术领先地位的重要因素。 SK海力士通过此次量产保证了EUV工艺技术的稳定性，并表示未来1a纳米级DRAM将采用EUV工艺生产。

SK海力士期待通过提高新产品的生产效率来确保更高的成本竞争力。与上一代1z纳米工艺的同规格产品相比，1a纳米DRAM每片晶圆上可生产的产品数量增加了约25%。在今年全球DRAM需求持续增长的背景下，该公司预计1a纳米DRAM将在全球存储半导体供需中发挥重要作用。

这款新品稳定支持LPDDR4移动DRAM规格的最高速度（4266Mbps），功耗也比上一代产品降低了20%左右。 SK海力士认为，这款新产品进一步强化了低功耗优势，为减少碳排放做出了贡献，充分体现了SK海力士注重ESG（环境、社会、公司治理）管理的精神理念。

继这款LPDDR4产品之后，SK海力士还计划从明年初开始将1a纳米级工艺引入去年10月推出的全球首款DDR5 DRAM。

文章来源：《环境技术》 网址: http://www.hjjszz.cn/zonghexinwen/2021/0712/1881.html

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